據(jù)華工激光半導體產(chǎn)品總監(jiān)黃偉介紹，晶圓機械切割的熱影響和崩邊寬度約 20 微米，傳統(tǒng)激光在 10 微米左右，而經(jīng)過一年努力，華工科技的半導體晶圓切割技術成功實現(xiàn)升級，熱影響降為 0，崩邊尺寸降至 5 微米以內(nèi)，切割線寬可做到 10 微米以內(nèi)。

IT之家注:晶圓切割和芯片分離無論采取機械或激光方式，都會因物質接觸和高速運動而產(chǎn)生熱影響和崩邊，從而影響芯片性能。

據(jù)透露，華工激光正在研發(fā)第三代半導體晶圓激光改質切割設備，計劃今年 7 月推出新產(chǎn)品，同時也正在開發(fā)我國自主知識產(chǎn)權的第三代半導體晶圓激光退火設備。

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