最近，康奈爾大學(xué)的科學(xué)家利用改進的家用微波爐突破了2納米半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的主要障礙這篇論文發(fā)表在《應(yīng)用物理快報》上

為了保持半導(dǎo)體技術(shù)的不斷縮小，硅必須摻雜越來越高的磷濃度，以促進精確和穩(wěn)定的電流傳輸目前，伴隨著工業(yè)上3nm器件的大規(guī)模生產(chǎn)，傳統(tǒng)的退火方法仍然有效但伴隨著精度的進一步提高，需要保證磷濃度高于其在硅中的平衡溶解度除了達到更高的濃度水平，一致性對于制造功能性半導(dǎo)體材料也是至關(guān)重要的

TSMC先前推測，微波可用于退火過程中，以促進磷摻雜濃度的增加但以前的微波加熱源往往會產(chǎn)生駐波，不利于加熱的均勻性簡單來說，之前的微波退火設(shè)備會對內(nèi)容物加熱不均勻

TSMC支持康乃爾大學(xué)的科學(xué)家進行微波退火研究本周早些時候，康奈爾大學(xué)發(fā)表了一篇結(jié)果論文，科學(xué)家們得出結(jié)論，由于他們先進的微波退火方法，他們已經(jīng)成功克服了高且穩(wěn)定的摻雜高于溶解度的基本挑戰(zhàn)

這篇論文的題目是通過微波退火有效且穩(wěn)定地激活摻雜磷超過其溶解度極限的納米片硅這項技術(shù)適用于最新的納米芯片晶體管技術(shù)，TSMC已經(jīng)表示將使用2納米芯片生產(chǎn)環(huán)柵場效應(yīng)晶體管

這項研究將繼續(xù)進行，并已獲得進一步的資金。